高壓直流絕緣發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應用*PWM脈沖寬度調制技術(shù)和電壓電流雙閉環(huán)反饋技術(shù)，提高電源調整率和負載調整率，使電壓穩定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅動(dòng)技術(shù)，消除開(kāi)關(guān)干擾，實(shí)現高壓發(fā)生器的高品質(zhì)。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性，承受額定電壓放電不損壞。

中頻直流高壓絕緣發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應用*PWM脈沖寬度調制技術(shù)和電壓電流雙閉環(huán)反饋技術(shù)，提高電源調整率和負載調整率，使電壓穩定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅動(dòng)技術(shù)，消除開(kāi)關(guān)干擾，實(shí)現高壓發(fā)生器的高品質(zhì)。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性。

系列智能型直流高壓絕緣發(fā)生器，主要適用于電力部門(mén)、工礦、冶金、鋼鐵等企業(yè)動(dòng)力部門(mén)對氧化鋅避雷器、電力電纜、變壓器、斷路器、發(fā)電機等高壓電氣設備進(jìn)行直流耐壓試驗或直流泄露電流試驗。 用AIPWM技術(shù)，對PWM技術(shù)的不準確線(xiàn)性度進(jìn)行了調整，使儀器精度得到了大幅度提高。并采用AI技術(shù)設定過(guò)壓保護和過(guò)流保護取代數字撥盤(pán)開(kāi)關(guān)只能設定電壓值，不能設定電流值及電壓飄移的問(wèn)題，增加了AI全自動(dòng)氧化鋅避雷器測量。

高壓絕緣耐壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應用*PWM脈沖寬度調制技術(shù)和電壓電流雙閉環(huán)反饋技術(shù)，提高電源調整率和負載調整率，使電壓穩定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅動(dòng)技術(shù)，消除開(kāi)關(guān)干擾，實(shí)現高壓發(fā)生器的高品質(zhì)。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性，并能承受額定電壓放電而不損壞。

一體式直流高壓耐壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應用*PWM脈沖寬度調制技術(shù)和電壓電流雙閉環(huán)反饋技術(shù)，提高電源調整率和負載調整率，使電壓穩定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅動(dòng)技術(shù)，消除開(kāi)關(guān)干擾，實(shí)現高壓發(fā)生器的高品質(zhì)。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性。

工頻高壓耐壓發(fā)生器采用了高頻倍壓電路，應用了*的PWM高頻脈寬調制技術(shù)，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩定度大幅度提高。使用性能*的大功率IGBT器件及驅動(dòng)技術(shù)，并根據電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使儀器實(shí)現了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。具有輸出功率大、體積小的特點(diǎn)，有可靠的過(guò)壓、過(guò)流及零位合閘保護功能，帶0.75倍電壓切換功能。